řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60Z-1 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-949
- Výrobní číslo:
- STD3NK60Z-1
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 75 kusech)*
1 233,975 Kč
(bez DPH)
1 493,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 325 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 75 - 675 | 16,453 Kč | 1 233,98 Kč |
| 750 - 1800 | 14,794 Kč | 1 109,55 Kč |
| 1875 + | 12,126 Kč | 909,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-949
- Výrobní číslo:
- STD3NK60Z-1
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | IPAK | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.6Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení IPAK | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.6Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinuté pomocí technologie Super MESH, která je optimalizací dobře zavedené technologie Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí jsou tato zařízení navržena tak, aby zajistila vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60Z-1 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový