řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60Z-1 Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-949
- Výrobní číslo:
- STD3NK60Z-1
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 75 kusech)*
774,075 Kč
(bez DPH)
936,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 700 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 75 - 675 | 10,321 Kč | 774,08 Kč |
| 750 - 1425 | 9,804 Kč | 735,30 Kč |
| 1500 + | 9,086 Kč | 681,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-949
- Výrobní číslo:
- STD3NK60Z-1
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | IPAK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.6Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±30 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení IPAK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.6Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±30 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinuté pomocí technologie Super MESH, která je optimalizací dobře zavedené technologie Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí jsou tato zařízení navržena tak, aby zajistila vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH Napájecí SuperMESH MOSFET STB4NK60ZT4 Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků:
- řada: SuperMESH Napájecí SuperMESH MOSFET Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH Zenerem chráněný MOSFET SuperMESH Typ N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3
