řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60Z-1 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-950
- Výrobní číslo:
- STD3NK60Z-1
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 200 kusů a ušetřete 10%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
329,00 Kč
(bez DPH)
398,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 320 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 20 - 180 | 16,45 Kč | 329,00 Kč | - |
| 200 - 480 | 14,796 Kč | 295,92 Kč | 10% |
| 500 + | 12,128 Kč | 242,56 Kč | 26% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-950
- Výrobní číslo:
- STD3NK60Z-1
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | IPAK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.6Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení IPAK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.6Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinuté pomocí technologie Super MESH, která je optimalizací dobře zavedené technologie Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí jsou tato zařízení navržena tak, aby zajistila vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60Z-1 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový