MPN

řada: DTMOSIVMOSFET TK8Q65W,S1Q(S N-kanálový 7,8 A 650 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Si

Nedostupné

Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Toshiba
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	7,8 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	650 V
	Typ balení	IPAK (TO-251)
	Řada	DTMOSIV
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	670 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	3.5V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.5V
	Maximální ztrátový výkon	80 W
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	16 nC při 10 V
	Délka	6.65mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Počet prvků na čip	1
	Šířka	2.3mm
	Propustné napětí diody	1.7V
	Výška	7.12mm

	Vybrat vše
	Značka Toshiba
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 7,8 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 650 V
	Typ balení IPAK (TO-251)
	Řada DTMOSIV
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 670 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 3.5V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V
	Maximální ztrátový výkon 80 W
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 16 nC při 10 V
	Délka 6.65mm
	Materiál tranzistoru Si
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Počet prvků na čip 1
	Šířka 2.3mm
	Propustné napětí diody 1.7V
	Výška 7.12mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.