řada: DTMOSIVMOSFET TK8Q65W,S1Q(S N-kanálový 7,8 A 650 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Si
- Skladové číslo RS:
- 125-0599P
- Výrobní číslo:
- TK8Q65W,S1Q(S
- Výrobce:
- Toshiba
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
448,55 Kč
(bez DPH)
542,75 Kč
(s DPH)
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 45 | 17,942 Kč |
| 50 - 120 | 17,41 Kč |
| 125 - 245 | 16,986 Kč |
| 250 + | 16,56 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 125-0599P
- Výrobní číslo:
- TK8Q65W,S1Q(S
- Výrobce:
- Toshiba
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 7,8 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 650 V | |
| Typ balení | IPAK (TO-251) | |
| Řada | DTMOSIV | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 670 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 3.5V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2.5V | |
| Maximální ztrátový výkon | 80 W | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -30 V, +30 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Šířka | 2.3mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Délka | 6.65mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 16 nC při 10 V | |
| Výška | 7.12mm | |
| Propustné napětí diody | 1.7V | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 7,8 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 650 V | ||
Typ balení IPAK (TO-251) | ||
Řada DTMOSIV | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 670 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 3.5V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V | ||
Maximální ztrátový výkon 80 W | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Šířka 2.3mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Délka 6.65mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 16 nC při 10 V | ||
Výška 7.12mm | ||
Propustné napětí diody 1.7V | ||
Související odkazy
- řada: DTMOSIVMOSFET TK6Q65W8 A 650 V počet kolíků: 3 Si
- řada: CoolMOS™ C3MOSFET SPU07N60C3BKMA1 N-kanálový 7 IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFU4510PBF N-kanálový 56 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLU3110ZPBF N-kanálový 63 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: UniFETMOSFET FDU7N60NZTU N-kanálový 5 IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET Typ N-kanálový 4.3 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRFU9110PBF Typ P-kanálový 3.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RFD14N05L Typ N-kanálový 14 A 50 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení