MPN

řada: HEXFETMOSFET IRFU4510PBF N-kanálový 56 A 100 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	56 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Typ balení	IPAK (TO-251)
	Series	HEXFET
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	13,9 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	143 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	2.39mm
	Počet prvků na čip	1
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Délka	6.73mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	54 nC při 10 V
	Výška	6.22mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 56 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Typ balení IPAK (TO-251)
	Series HEXFET
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 13,9 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 143 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 2.39mm
	Počet prvků na čip 1
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Délka 6.73mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 54 nC při 10 V
	Výška 6.22mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.