řada: PowerTrench MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 2.7 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

23 538,00 Kč

(bez DPH)

28 482,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +7,846 Kč23 538,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
124-1358
Výrobní číslo:
FDC6327C
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.7A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

270mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

3.25nC

Maximální ztrátový výkon Pd

960mW

Přímé napětí Vf

0.76V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

8 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Normy/schválení

No

Výška

1mm

Délka

3mm

Šířka

1.7 mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy