řada: PowerTrench MOSFET FDC6305N Typ N-kanálový 2.7 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

130,66 Kč

(bez DPH)

158,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 6 900 jednotka(y) budou odesílané od 04. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9013,066 Kč130,66 Kč
100 - 4909,757 Kč97,57 Kč
500 - 9907,657 Kč76,57 Kč
1000 - 29906,20 Kč62,00 Kč
3000 +5,187 Kč51,87 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
761-3947
Výrobní číslo:
FDC6305N
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.7A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Typ balení

SOT-23

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

128mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

960mW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

3.5nC

Přímé napětí Vf

0.77V

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1mm

Délka

3mm

Normy/schválení

No

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

Model FDC6305N je MOSFET s kanálem N-Channel a nízkým prahem. Je navržen s technologií PowerTrench® a může se pochlubit minimalizací odolnosti vůči stavu a nízkým nabíjením hradel pro vynikající přepínací výkon.

Charakteristiky a výhody:


• Nízké nabití zadní výklopné stěny

• Rychlá přepínací rychlost

• Technologie PowerTrench®

• Velmi malý rozměry. O 72 % menší než SO08.

FDC6305N se v těchto aplikacích obvykle používá;

• Přepínání zatížení

• převodníky DC/DC

• Jízda s motorem

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy