řada: PowerTrench MOSFET FDC6327C Typ P, Typ N-kanálový 2.7 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

181,79 Kč

(bez DPH)

219,97 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 3 280 jednotka(y) budou odesílané od 27. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9018,179 Kč181,79 Kč
100 - 24015,66 Kč156,60 Kč
250 - 49013,585 Kč135,85 Kč
500 - 99011,955 Kč119,55 Kč
1000 +10,843 Kč108,43 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
761-3956
Výrobní číslo:
FDC6327C
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.7A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

270mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

3.25nC

Přímé napětí Vf

0.76V

Maximální ztrátový výkon Pd

960mW

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Délka

3mm

Normy/schválení

No

Výška

1mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy