řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

16 413,00 Kč

(bez DPH)

19 860,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 12 000 jednotka(y) budou odesílané od 28. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +5,471 Kč16 413,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-1796
Výrobní číslo:
FDC6312P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

115mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

4.4nC

Maximální ztrátový výkon Pd

960mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

8 V

Přímé napětí Vf

-0.7V

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Šířka

1.7 mm

Délka

3mm

Výška

1mm

Normy/schválení

No

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy