řada: PowerTrench MOSFET FDC6312P Typ P-kanálový 2.3 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

107,69 Kč

(bez DPH)

130,305 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 14 535 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4521,538 Kč107,69 Kč
50 - 9518,574 Kč92,87 Kč
100 - 49516,056 Kč80,28 Kč
500 - 99514,128 Kč70,64 Kč
1000 +12,844 Kč64,22 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0340
Výrobní číslo:
FDC6312P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

115mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

4.4nC

Přímé napětí Vf

-0.7V

Maximální ztrátový výkon Pd

960mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

8 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Normy/schválení

No

Délka

3mm

Šířka

1.7 mm

Výška

1mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy