řada: PowerTrench MOSFET NDS9948 Typ P-kanálový 2.3 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

101,96 Kč

(bez DPH)

123,37 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 4 140 jednotka(y) budou odesílané od 04. února 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 520,392 Kč101,96 Kč
10 - 9516,926 Kč84,63 Kč
100 - 49512,256 Kč61,28 Kč
500 - 99510,278 Kč51,39 Kč
1000 +8,768 Kč43,84 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
761-3397
Výrobní číslo:
NDS9948
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOIC

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

500mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

-0.8V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

9nC

Maximální ztrátový výkon Pd

2W

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

1.5mm

Normy/schválení

No

Šířka

4 mm

Délka

5mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy