řada: FDmesh MOSFET STW55NM60ND N-kanálový 51 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový STMicroelectronics Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 103-1993
- Výrobní číslo:
- STW55NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 103-1993
- Výrobní číslo:
- STW55NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Řada | FDmesh | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 51 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 600 V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Přímé napětí (Vf) | 1.3 V | |
| Výška | 20.15 mm | |
| Délka | 15.75 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 60 mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | -25 V, +25 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 350 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Průchozí otvor, Průchozí otvor | |
| Normy/schválení | No | |
| Typický náboj brány (Qg) @ Vgs | 190 nC | |
| Šířka | 5.15 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada FDmesh | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 51 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 600 V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Přímé napětí (Vf) 1.3 V | ||
Výška 20.15 mm | ||
Délka 15.75 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 60 mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) -25 V, +25 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 350 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Průchozí otvor, Průchozí otvor | ||
Normy/schválení No | ||
Typický náboj brány (Qg) @ Vgs 190 nC | ||
Šířka 5.15 mm | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: FDmesh MOSFET N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STW34NM60ND N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STW20NM60FD N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STP20NM60FD N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STD13NM60ND N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení