řada: FDmesh MOSFET N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 920-8736
- Výrobní číslo:
- STP20NM60FD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
4 564,55 Kč
(bez DPH)
5 523,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 91,291 Kč | 4 564,55 Kč |
| 250 + | 88,096 Kč | 4 404,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 920-8736
- Výrobní číslo:
- STP20NM60FD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | FDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 290mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 192W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 9.15mm | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada FDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 290mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 192W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 9.15mm | ||
Šířka 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: FDmesh MOSFET STP20NM60FD N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STD13NM60ND N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STW34NM60ND N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STW20NM60FD N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh Výkonový MOSFET STP11NM60ND N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení