řada: FDmesh MOSFET STW34NM60ND Typ N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 760-9792
- Výrobní číslo:
- STW34NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
183,57 Kč
(bez DPH)
222,12 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 466 jednotka(y) budou odesílané od 05. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 183,57 Kč |
| 2 + | 174,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 760-9792
- Výrobní číslo:
- STW34NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 29A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | FDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 190W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80.4nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.15 mm | |
| Výška | 20.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 29A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada FDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 190W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80.4nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25 V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.15 mm | ||
Výška 20.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STW20NM60FD Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW34NM60N Typ N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STP20NM60FD Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení