řada: FDmesh MOSFET STD13NM60ND Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 791-9285
- Výrobní číslo:
- STD13NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
391,25 Kč
(bez DPH)
473,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 245 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 78,25 Kč | 391,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 791-9285
- Výrobní číslo:
- STD13NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | FDmesh | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 380mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 109W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Šířka | 6.2 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada FDmesh | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 380mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 109W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Šířka 6.2 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STD13N60DM2 Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STP20NM60FD Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDmesh MOSFET STW20NM60FD Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení