AEC-Q101, řada: STH4N150 Výkonový MOSFET STH4N150-2AG N-kanálový 2.6 A 1.5 kV, H2PAK-2 STMicroelectronics, počet kolíků:

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 434,70 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

126,46 Kč

(bez DPH)

153,02 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 12. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
Úspora
1 - 9126,46 Kč-
10 - 9982,99 Kč434,70 Kč
100 - 49961,26 Kč6 520,00 Kč
500 +53,85 Kč36 305,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
881-431
Výrobní číslo:
STH4N150-2AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.6A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.5kV

Typ balení

H2PAK-2

Řada

STH4N150

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

10Ω

Režim kanálu

MOSFET

Typický náboj brány Qg @ Vgs

35.1nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30V

Maximální ztrátový výkon Pd

208W

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

MOSFET s kanálem N

Délka

10.4mm

Šířka

4.7mm

Výška

15.8mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový MOSFET STMicroelectronics s N-kanálem vyvinutý pomocí PowerMESH technologií. Toto zařízení je navrženo tak, aby zajišťovalo vysokou úroveň napětí a robustnost pro automobilový trh.

Velmi nízké nabíjení hradla

100% lavinový test

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.