řada: MDmesh K5 MOSFET STH2N120K5-2AG N-kanálový 1.5 A 1.2 kV STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 2000 kusů a ušetřete 1 410,00 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

57 068,00 Kč

(bez DPH)

69 052,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za cívku*
Úspora
1000 - 100057,068 Kč57 068,00 Kč-
2000 +56,363 Kč56 363,00 Kč1 410,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
151-437
Výrobní číslo:
STH2N120K5-2AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.2kV

Typ balení

H2PAK-2

Řada

MDmesh K5

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

10Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

5.3nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30V

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

15.8mm

Normy/schválení

RoHS

Šířka

10.4mm

Výška

4.7mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je navržen pomocí technologie MDmesh K5 založené na inovativní vlastní vertikální struktuře. Výsledkem je výrazné snížení odporu a velmi nízký náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.

Kvalifikace AEC Q101

Nejnižší RDS(on) x plocha v oboru

Nejlepší FoM v oboru

Ultra nízký náboj hradla

100% lavinově testováno

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.