AEC-Q101, řada: STH285N10F8-2AG Výkonový MOSFET STH285N10F8-2AG N kanál-kanálový 292 A 100 V STMicroelectronics,

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

79,53 Kč

(bez DPH)

96,23 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 19. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 979,53 Kč
10 - 2477,06 Kč
25 - 9975,34 Kč
100 - 49964,22 Kč
500 +60,52 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
800-459
Výrobní číslo:
STH285N10F8-2AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

N kanál

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

292A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

STH285N10F8-2AG

Typ balení

H2PAK-2

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.9mΩ

Režim kanálu

Režim vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

177nC

Maximální ztrátový výkon Pd

341W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

4V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

15.8mm

Normy/schválení

ECOPACK

Délka

10.4mm

Šířka

4.7mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový tranzistor MOSFET STMicroelectronics 100 V v režimu zesílení N-kanálu je navržen v technologii STripFET F8 s vylepšenou strukturou zábradlí.

Kvalifikace AEC-Q101

175 °C maximální provozní teplota spoje

100% lavinový test

Vynikající FoM (údaj o zásluhách)

Související odkazy