řada: STH285N10F8-6AG Výkonový MOSFET STL130N6LF7 N kanál-kanálový 96 A 60 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet
- Skladové číslo RS:
- 800-463
- Výrobní číslo:
- STL130N6LF7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
16,30 Kč
(bez DPH)
19,72 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 24 | 16,30 Kč |
| 25 - 99 | 16,06 Kč |
| 100 - 499 | 15,31 Kč |
| 500 + | 14,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 800-463
- Výrobní číslo:
- STL130N6LF7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 96A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | STH285N10F8-6AG | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.8mΩ | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 93W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1mm | |
| Normy/schválení | ECOPACK | |
| Šířka | 5mm | |
| Délka | 6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 96A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada STH285N10F8-6AG | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.8mΩ | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 93W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1mm | ||
Normy/schválení ECOPACK | ||
Šířka 5mm | ||
Délka 6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou konstrukcí hradla, která má za následek velmi nízký odpor v zapnutém stavu a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a náboj hradla pro rychlejší a efektivnější spínání.
Jedna z nejnižších hodnot RDS(on) na trhu
Vynikající FoM (údaj o zásluhách)
Nízký poměr Crss/Ciss pro odolnost vůči EMI
Vysoká lavinová odolnost
Logická úroveň VGS(th)
Související odkazy
- AEC-Q101 H2PAK,
- řada: STH285N10F8-6AG Výkonový MOSFET STW65N040M9-4 N kanál-kanálový 58 A 650 V STMicroelectronics počet
- AEC-Q101 H2PAK-2,
- AEC-Q101
- řada: STL Výkonový MOSFET STL270N6LF7 N kanál-kanálový 268 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: ST8L65N0 Výkonový MOSFET ST8L65N050DM9 N kanál-kanálový 35 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků:
- řada: ST8L65N0 Výkonový MOSFET ST8L65N065DM9 N kanál-kanálový 44 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků:
- řada: Stl Výkonový MOSFET STL140N4LF8 N kanál-kanálový 144 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8