STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGH30H65DFB-2AG 30 A 650 V, H2PAK-2 Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

87,44 Kč

(bez DPH)

105,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 456 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 487,44 Kč
5 - 983,24 Kč
10 - 2475,09 Kč
25 - 4967,18 Kč
50 +63,73 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
248-4894
Výrobní číslo:
STGH30H65DFB-2AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Typ balení

H2PAK-2

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.55V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

10.4mm

Výška

4.7mm

Řada

STGH30H65DFB

Šířka

15.8 mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Produkt STMicroelectronics je IGBT vyvinutý pomocí patentované konstrukce příkopu bránou pole stop Advanced. Zařízení je součástí nové řady IGBT HB, která představuje optimální kompromis mezi ztrátou vedení a spínání pro maximalizaci účinnosti libovolného frekvenčního měniče. Kromě toho mírně kladný teplotní koeficient VCEBsat a velmi těsná distribuce parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelního provozu.

Certifikát podle normy AEC-Q101

Vysokorychlostní spínací série

Bezpečnější paralelní chod

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Antiparalelní dioda s měkkým a velmi rychlým zotavením

Související odkazy