STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT GH50H65DRB2-7AG 108 A 650 V, H2PAK-7, počet kolíků: 7 kolíkový 1 Povrch

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

51,87 Kč

(bez DPH)

62,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 845 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 951,87 Kč
10 - 9947,67 Kč
100 - 49946,44 Kč
500 - 99945,45 Kč
1000 +44,21 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
330-362
Výrobní číslo:
GH50H65DRB2-7AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

108A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

385W

Počet tranzistorů

1

Typ balení

H2PAK-7

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

AEC-Q101

Výška

4.8mm

Délka

15.25mm

Šířka

24.3 mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN
Nejnovější řada IGBT 650 HB2 společnosti STMicroelectronics představuje evoluci pokročilé patentované struktury s polní zarážkou v zákopu. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vodivosti díky lepšímu chování VCE(sat) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížení spínací energie.

Kvalifikace AEC-Q101

Maximální teplota spoje TJ 175 °C

Vysokorychlostní spínací řada

Minimalizovaný zadní proud

Těsné rozdělení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE(sat)

Spolu s vysoce odolnou usměrňovací diodou

Vynikající spínací výkon díky přídavnému kelvinovému kolíku

Související odkazy