IGBT GH50H65DRB2-7AG 108 A 650 V, H2PAK-7, počet kolíků: 7 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

51,87 Kč

(bez DPH)

62,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 850 jednotka(y) budou odesílané od 02. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 951,87 Kč
10 - 9947,67 Kč
100 - 49946,44 Kč
500 - 99945,45 Kč
1000 +44,21 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
330-362
Výrobní číslo:
GH50H65DRB2-7AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

108 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon

385 W

Typ balení

H2PAK-7

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

7

Země původu (Country of Origin):
CN
Nejnovější řada IGBT 650 HB2 společnosti STMicroelectronics představuje evoluci pokročilé patentované struktury s polní zarážkou v zákopu. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vodivosti díky lepšímu chování VCE(sat) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížení spínací energie.

Kvalifikace AEC-Q101
Maximální teplota spoje TJ 175 °C
Vysokorychlostní spínací řada
Minimalizovaný zadní proud
Těsné rozdělení parametrů
Nízký tepelný odpor
Kladný teplotní koeficient VCE(sat)
Spolu s vysoce odolnou usměrňovací diodou
Vynikající spínací výkon díky přídavnému kelvinovému kolíku

Související odkazy