STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT GH50H65DRB2-7AG 108 A 650 V, H2PAK-7, počet kolíků: 7 kolíkový 1 Povrch

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

64,96 Kč

(bez DPH)

78,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
1 - 964,96 Kč
10 - 9959,77 Kč
100 - 49958,29 Kč
500 - 99956,81 Kč
1000 +55,33 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
330-362
Výrobní číslo:
GH50H65DRB2-7AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

108A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon Pd

385W

Typ balení

H2PAK-7

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

4.8mm

Délka

15.25mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN
Nejnovější řada IGBT 650 HB2 společnosti STMicroelectronics představuje evoluci pokročilé patentované struktury s polní zarážkou v zákopu. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vodivosti díky lepšímu chování VCE(sat) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížení spínací energie.

Kvalifikace AEC-Q101

Maximální teplota spoje TJ 175 °C

Vysokorychlostní spínací řada

Minimalizovaný zadní proud

Těsné rozdělení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE(sat)

Spolu s vysoce odolnou usměrňovací diodou

Vynikající spínací výkon díky přídavnému kelvinovému kolíku

Související odkazy