AEC-Q101, řada: STH65N MOSFET Typ N-kanálový 51 A 650 V, H2PAK-7 STMicroelectronics, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

194,14 Kč

(bez DPH)

234,91 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 288 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 9194,14 Kč
10 - 49157,09 Kč
50 - 99120,29 Kč
100 +106,70 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
481-129
Výrobní číslo:
STH65N050DM9-7AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

51A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

STH65N

Typ balení

H2PAK-7

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Konfigurace tranzistoru

N-kanál

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

15.25mm

Šířka

24.3 mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN
N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je postaven na pokročilé technologii super-junction MDmesh DM9 a je určen pro aplikace se středním až vysokým napětím. Vyznačuje se extrémně nízkým RDS(on) na plochu a diodou s rychlou rekuperací, takže je ideální pro vysoce účinné spínání. Křemíková technologie DM9 využívá vícedrážkový výrobní proces, který zlepšuje strukturu a výkon zařízení. Díky velmi nízkému zotavovacímu náboji (Qrr), rychlé době zotavení (trr) a nízkému RDS(on) je tento MOSFET optimalizován pro náročné můstkové topologie a měniče s fázovým posunem ZVS.

Nízký náboj a odpor hradla

100% lavinový test

Extrémně vysoká odolnost dv/dt

Vynikající spínací výkon díky dodatečnému kolíku řídicího zdroje

Kvalifikace AEC-Q101

Související odkazy