MOSFET SCTH35N65G2V-7AG Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

358,64 Kč

(bez DPH)

433,95 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
1 - 4358,64 Kč
5 - 9340,61 Kč
10 - 24318,38 Kč
25 - 49310,73 Kč
50 +302,58 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
224-9999
Výrobní číslo:
SCTH35N65G2V-7AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

45A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

H2PAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

67mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

14nC

Přímé napětí Vf

3.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

208W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Délka

10.4mm

Výška

15.25mm

Automobilový standard

Ne

Zařízení STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí technologie ST Advanced a inovativní technologie SIC MOSFET 2. Generace. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje.

Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa

Extrémně nízké nabití hradla a vstupní kapacita

Snímací kolík zdroje pro vyšší účinnost

Související odkazy