řada: STH Výkonový MOSFET STH345N6F7-2 N kanál-kanálový 397 A 60 V STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 2 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 719-651
- Výrobní číslo:
- STH345N6F7-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
108 186,00 Kč
(bez DPH)
130 905,00 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 - 9000 | 108,186 Kč | 108 186,00 Kč |
| 10000 - 99000 | 94,552 Kč | 94 552,00 Kč |
| 100000 - 499000 | 78,546 Kč | 78 546,00 Kč |
| 500000 - 999000 | 70,247 Kč | 70 247,00 Kč |
| 1000000 + | 64,912 Kč | 64 912,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-651
- Výrobní číslo:
- STH345N6F7-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 397A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | H2PAK-2 | |
| Řada | STH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 2 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 230nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 341W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 9.3mm | |
| Výška | 4.7mm | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 397A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení H2PAK-2 | ||
Řada STH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 2 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 230nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 341W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 9.3mm | ||
Výška 4.7mm | ||
Šířka 10.4mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou konstrukcí hradla, která má za následek velmi nízký odpor v zapnutém stavu a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a náboj hradla pro rychlejší a efektivnější spínání.
Jedna z nejnižších hodnot RDS(on) na trhu
Vynikající FoM (údaj o zásluhách)
Nízký poměr Crss/Ciss pro odolnost vůči EMI
Vysoká lavinová odolnost
Související odkazy
- řada: STH Výkonový MOSFET STH345N6F7-2 N kanál-kanálový 397 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 2 kolíkový
- řada: STH Výkonový MOSFET STH345N6F7-6 N kanál-kanálový 397 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: STH200 MOSFET STH200N10WF7-2 Typ N-kanálový 180 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STB37N60 MOSFET STH12N120K5-2 Typ N-kanálový 12 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SiC MOSFET MOSFET SCT20N120H Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET H7 MOSFET STH310N10F7-2 Typ N-kanálový 180 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh MOSFET STH3N150-2 Typ N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET STH270N8F7-2 Typ N-kanálový 180 A 80 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
