řada: STH Výkonový MOSFET STH345N6F7-2 N-kanálový 397 A 60 V STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 2 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

82,00 Kč

(bez DPH)

99,22 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 2482,00 Kč
25 - 4970,15 Kč
50 - 99961,01 Kč
1000 - 499956,81 Kč
5000 +56,07 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
719-652
Výrobní číslo:
STH345N6F7-2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

397A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

H2PAK-2

Řada

STH

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

1.2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

341W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

230nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

4.7mm

Délka

9.3mm

Šířka

10.4mm

Země původu (Country of Origin):
CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou konstrukcí hradla, která má za následek velmi nízký odpor v zapnutém stavu a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a náboj hradla pro rychlejší a efektivnější spínání.

Jedna z nejnižších hodnot RDS(on) na trhu

Vynikající FoM (údaj o zásluhách)

Nízký poměr Crss/Ciss pro odolnost vůči EMI

Vysoká lavinová odolnost

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.