řada: STH Výkonový MOSFET STH345N6F7-2 N-kanálový 397 A 60 V STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 2 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

131,40 Kč

(bez DPH)

158,99 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 29. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9131,40 Kč
10 - 9996,08 Kč
100 - 49974,35 Kč
500 - 99966,20 Kč
1000 +55,33 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
719-652
Výrobní číslo:
STH345N6F7-2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

397A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

H2PAK-2

Řada

STH

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

1.2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

230nC

Maximální ztrátový výkon Pd

341W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

9.3mm

Výška

4.7mm

Šířka

10.4mm

Země původu (Country of Origin):
CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou konstrukcí hradla, která má za následek velmi nízký odpor v zapnutém stavu a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a náboj hradla pro rychlejší a efektivnější spínání.

Jedna z nejnižších hodnot RDS(on) na trhu

Vynikající FoM (údaj o zásluhách)

Nízký poměr Crss/Ciss pro odolnost vůči EMI

Vysoká lavinová odolnost

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.