řada: STH Výkonový MOSFET STH345N6F7-6 N kanál-kanálový 397 A 60 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 719-655
- Výrobní číslo:
- STH345N6F7-6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 jednotka)*
82,75 Kč
(bez DPH)
100,13 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 18. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 82,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-655
- Výrobní číslo:
- STH345N6F7-6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 397A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | STH | |
| Typ balení | H2PAK | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 341W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.7mm | |
| Délka | 9.3mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 397A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada STH | ||
Typ balení H2PAK | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 341W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.7mm | ||
Délka 9.3mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou konstrukcí hradla, která má za následek velmi nízký odpor v zapnutém stavu a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a náboj hradla pro rychlejší a efektivnější spínání.
Jedna z nejnižších hodnot RDS(on) na trhu
Vynikající FoM (údaj o zásluhách)
Nízký poměr Crss/Ciss pro odolnost vůči EMI
Vysoká lavinová odolnost
Související odkazy
- řada: STH Výkonový MOSFET STH345N6F7-6 N kanál-kanálový 397 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: STH Výkonový MOSFET STH345N6F7-2 N kanál-kanálový 397 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 2 kolíkový
- řada: STH280N10F8-6 Výkonový MOSFET STH280N10F8-6 N kanál-kanálový 292 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků:
- řada: STripFET H7 MOSFET STH310N10F7-6 Typ N-kanálový 180 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 H2PAK-2,
- řada: SCT MOSFET SCTW100N65G2AG Typ N-kanálový 100 A 1200 V počet kolíků: 7 kolíkový
