řada: MDmesh MOSFET STH3N150-2 N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 792-5861
- Výrobní číslo:
- STH3N150-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
212,02 Kč
(bez DPH)
256,54 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 924 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 106,01 Kč | 212,02 Kč |
| 20 - 98 | 102,51 Kč | 205,02 Kč |
| 100 - 198 | 99,33 Kč | 198,66 Kč |
| 200 + | 86,08 Kč | 172,16 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5861
- Výrobní číslo:
- STH3N150-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1500V | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ balení | H2PAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 15.8mm | |
| Výška | 4.8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1500V | ||
Řada MDmesh | ||
Typ balení H2PAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 15.8mm | ||
Výška 4.8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP3N150 N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW3N150 N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STFW3N150 N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 8 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení