řada: MDmesh K5 MOSFET STW12N150K5 N-kanálový 7 A 1500 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-449
- Výrobní číslo:
- STW12N150K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (30 jednotky/-ek, do tubusu po 30 ks)*
3 622,02 Kč
(bez DPH)
4 382,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 570 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 120,734 Kč | 3 622,02 Kč |
| 150 + | 119,243 Kč | 3 577,29 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-449
- Výrobní číslo:
- STW12N150K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1500V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | MDmesh K5 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.9Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1500V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada MDmesh K5 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.9Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je navržen pomocí technologie MDmesh K5 založené na inovativní vlastní vertikální struktuře. Výsledkem je výrazné snížení odporu a velmi nízký náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
Nejnižší RDS(on) x plocha v odvětví
Nejlepší FoM v odvětví
Velmi nízký náboj hradla
100% lavinově testováno
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: MDmesh K5 MOSFET STW12N150K5 N-kanálový 7 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 MOSFET STW8N120K5 N-kanálový 6 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 8 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 4 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW3N150 N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW4N150 N-kanálový 4 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení