AEC-Q101, řada: RH7G04BBJFRAT Jednoduché tranzistory MOSFET RH7G04BBJFRATCB Typ P-kanálový 40 A -40 V ROHM,
- Skladové číslo RS:
- 687-447
- Výrobní číslo:
- RH7G04BBJFRATCB
- Výrobce:
- ROHM
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 20 kusů a ušetřete 11%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
44,78 Kč
(bez DPH)
54,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 22,39 Kč | 44,78 Kč | - |
| 20 - 48 | 19,79 Kč | 39,58 Kč | 11% |
| 50 - 198 | 17,765 Kč | 35,53 Kč | 20% |
| 200 - 998 | 14,30 Kč | 28,60 Kč | 36% |
| 1000 + | 14,01 Kč | 28,02 Kč | 37% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-447
- Výrobní číslo:
- RH7G04BBJFRATCB
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Řada | RH7G04BBJFRAT | |
| Typ balení | DFN3333T8LSAB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.1mm | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Délka | 3.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Řada RH7G04BBJFRAT | ||
Typ balení DFN3333T8LSAB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 50nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.1mm | ||
Šířka 3.4mm | ||
Délka 3.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM je navržen pro robustní výkon v náročných aplikacích a nabízí výjimečnou účinnost a spolehlivost. Díky maximálnímu napětí drain-source -40 V a schopnosti nepřetržitého drainového proudu dosahujícího až 40 A vyniká tato součást v řízení napájení. Nízký odpor v zapnutém stavu pouhých 11,9 mΩ zvyšuje energetickou účinnost, což z něj činí ideální volbu pro automobilové a průmyslové systémy. Tento MOSFET je navržen tak, aby odolával teplotám od -55 do 175 °C a zajišťuje odolnost a stabilitu v široké škále podmínek, zatímco jeho kvalifikace AEC-Q101 signalizuje jeho vhodnost pro automobilová prostředí, což přispívá k vyšší bezpečnosti a účinnosti zařízení.
Certifikace AEC Q101 pro spolehlivé aplikace v automobilovém průmyslu
100% lavinové zkoušky pro vyšší bezpečnost v extrémních podmínkách
Spojovací pouzdro s nízkým tepelným odporem, které podporuje účinný rozptyl tepla
Široký rozsah provozních teplot zajišťuje stabilitu výkonu v náročných podmínkách
Minimální odpor v zapnutém stavu optimalizuje energetickou účinnost a snižuje celkovou ztrátu výkonu
Kapacitní charakteristiky přizpůsobené pro aplikace s rychlým spínáním, které zvyšují výkon
Konstrukce navlhčitelných boků usnadňuje spolehlivé pájení a lepší kvalitu montáže
Vhodnost pro různé aplikace, včetně ADAS, osvětlení a systémů řízení těla