řada: DOSEMI SiC Mosfet bez diody DM800S12TDRB Jednoduchý přepínač-kanálový 37 A 1200 V Starpower, Páska a cívka, počet
- Skladové číslo RS:
- 427-759
- Výrobní číslo:
- DM800S12TDRB
- Výrobce:
- Starpower
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
177,07 Kč
(bez DPH)
214,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 40 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 177,07 Kč |
| 10 - 99 | 159,32 Kč |
| 100 - 499 | 146,72 Kč |
| 500 - 999 | 136,34 Kč |
| 1000 + | 110,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 427-759
- Výrobní číslo:
- DM800S12TDRB
- Výrobce:
- Starpower
Specifikace
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Starpower | |
| Typ produktu | SiC Mosfet bez diody | |
| Typ kanálu | Jednoduchý přepínač | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 37A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | Páska a cívka | |
| Řada | DOSEMI | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 105mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 4.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 162W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Starpower | ||
Typ produktu SiC Mosfet bez diody | ||
Typ kanálu Jednoduchý přepínač | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 37A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení Páska a cívka | ||
Řada DOSEMI | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 105mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 4.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 162W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Starpower Power Discrete zajišťuje mimořádně nízké ztráty při vodivosti a také nízké ztráty při spínání. Jsou navrženy pro aplikace, jako jsou hybridní a elektrická vozidla.
SiC výkonový MOSFET
Nízká hodnota RDS(zapnuto)
Pouzdro s nízkou indukcí zabraňuje kolísání
RoHS
Související odkazy
- řada: DOSEMI SiC Mosfet bez diody DM400S12TDRB Jednoduchý přepínač-kanálový 64 A 1200 V Starpower počet
- řada: DOSEMI SiC Mosfet bez diody DM170S12TDRB Jednoduchý přepínač-kanálový 118 A 1200 V Starpower počet
- Napájecí modul SiC 1200 V, F1-2PACK onsemi
- Napájecí modul SiC NXH010P120MNF1PTG 1200 V, F1-2PACK onsemi
- řada: SEMITOP Napájecí modul SiC SKKD80S12 1200 V Semikron Danfoss
- řada: SEMITOP Napájecí modul SiC SK30KDD12SCp 1200 V Semikron Danfoss, SEMITOP2
- řada: SEMITOP Napájecí modul SiC SK45MLET12SCp 56 A 1200 V Semikron Danfoss
- řada: SEMITOP Napájecí modul SiC SK30DMD120RM04ETE2 29 A 1200 V Semikron Danfoss
