řada: SEMITOP Napájecí modul SiC SK30DMD120RM04ETE2 29 A 1.2 kV Semikron Danfoss

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 908,92 Kč

(bez DPH)

2 309,79 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 27 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 91 908,92 Kč
10 +1 717,97 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
351-849
Výrobní číslo:
SK30DMD120RM04ETE2
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Typ produktu

Napájecí modul SiC

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

29A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.2kV

Řada

SEMITOP

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální odpor zdroje Rds

45mΩ

Typický náboj brány Qg @ Vgs

91nC

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23V

Přímé napětí Vf

3.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

63mm

Výška

12mm

Šířka

57mm

Normy/schválení

IEC 61340/UL

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
IT
Měnič Semikron SiC MOSFET RM je vybaven proudovým zatížením 29 A a konstrukcí 1200V příkopového SiC MOSFETu Gen4 pro efektivní spínací výkon. Je vybaven technologií usměrňovacích diod PEP pro zvýšení výkonu a odolnosti vůči vlivům prostředí a integrovaným teplotním čidlem NTC pro monitorování teploty. UL uznáno pod číslem spisu. E63532.

Optimalizovaná konstrukce pro vynikající tepelný výkon

Konstrukce s nízkou indukčností

Kontaktní technologie Press-Fit

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.