Napájecí modul SiC NXH010P120MNF1PTG 114 A 1200 V, F1-2PACK onsemi

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
248-5824
Výrobní číslo:
NXH010P120MNF1PTG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

Napájecí modul SiC

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

114A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

F1-2PACK

Typ montáže

Průchozí otvor

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Modul SiC – topologie polomůstku EliteSiC 2-PACK, 1200 V, 10mohmové lisované kolíky MOSFET SiC M1, materiál tepelného rozhraní


ON Semiconductor je výkonový modul obsahující 10 mohm/1200 v SIC MOSFET half bridge a termistor v balení F1.

10 mohm/1200 v SIC MOSFET half bridge

Možnosti s předaplikovaným tepelně vodivého materiálu a bez předaplikovaného TIM

Nalisujte kolíky

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.