Napájecí modul SiC N-kanálový 304 A 1200 V, F2 onsemi, počet kolíků: 36 kolíkový Izolovaný

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 60 kusech)*

286 955,52 Kč

(bez DPH)

347 216,16 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 08. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
60 +4 782,592 Kč286 955,52 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
229-6509
Výrobní číslo:
NXH006P120MNF2PTG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Typ produktu

Napájecí modul SiC

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

304A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

F2

Typ montáže

Šasi

Počet kolíků

36

Přímé napětí Vf

6V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

847nC

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

950W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25V

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Normy/schválení

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Délka

63.3mm

Výška

17mm

Šířka

57mm

Automobilový standard

Ne

Výkonový modul ON Semiconductor obsahující 1200 v SIC MOSFET Half-bridge a termistor v pouzdru F2. Obvykle se používá v solárních měničích, UPS, dobíjecích stanicích elektrických vozidel a průmyslové napájení.

Možnosti s předaplikovaným materiálem tepelného rozhraní

Možnosti s volitelnými kolíky a nalisovacími kolíky

Bez PB

Vyhovuje RoHS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.