Napájecí modul SiC 1200 V, F1-2PACK onsemi

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
248-5823
Výrobní číslo:
NXH010P120MNF1PTG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

Napájecí modul SiC

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

F1-2PACK

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Modul SiC – topologie polomůstku EliteSiC 2-PACK, 1200 V, 10mohmové lisované kolíky MOSFET SiC M1, materiál tepelného rozhraní


ON Semiconductor je výkonový modul obsahující 10 mohm/1200 v SIC MOSFET half bridge a termistor v balení F1.

10 mohm/1200 v SIC MOSFET half bridge

Možnosti s předaplikovaným tepelně vodivého materiálu a bez předaplikovaného TIM

Nalisujte kolíky

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.