řada: IPT0 MOSFET IPT023N10NM5LF2ATMA1 N-kanálový 243 A 100 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-908
- Výrobní číslo:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
380,87 Kč
(bez DPH)
460,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 988 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 190,435 Kč | 380,87 Kč |
| 20 - 198 | 171,665 Kč | 343,33 Kč |
| 200 - 998 | 158,325 Kč | 316,65 Kč |
| 1000 - 1998 | 146,595 Kč | 293,19 Kč |
| 2000 + | 131,405 Kč | 262,81 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-908
- Výrobní číslo:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 243A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Řada | IPT0 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 144nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.58mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Šířka | 10.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 243A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Řada IPT0 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 144nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.58mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Šířka 10.1mm | ||
Normy/schválení RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- AT
Technologie Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2 umožňuje ve své třídě nejlepší kompromis mezi odporem v zapnutém stavu a schopností pracovat v lineárním režimu. V kombinaci s pouzdrem TOLL je IPT023N10NM5LF2 určen pro ochranu proti rozběhovému proudu, jako je hot-swap, elektronická pojistka a ochrana baterií v systémech správy baterií (BMS).
Široká bezpečná provozní oblast (SOA)
Nízká hodnota RDS(zapnuto)
Nižší IGSS ve srovnání s lineárními FET
Optimalizovaná přenosová charakteristika
Související odkazy
- řada: IPT0 MOSFET IPT017N10NM5LF2ATMA1 N-kanálový 321 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T065S7XTMA1 N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T040S7XTMA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT129N20NM6ATMA1 N-kanálový 87 A 200 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R140D2ATMA1 N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení