řada: IPT0 MOSFET IPT017N10NM5LF2ATMA1 N-kanálový 321 A 100 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-906
- Výrobní číslo:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 351-906
- Výrobní číslo:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 321A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Řada | IPT0 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 165nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | |
| Délka | 10.58mm | |
| Výška | 1.3mm | |
| Šířka | 10.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 321A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Řada IPT0 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 165nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | ||
Délka 10.58mm | ||
Výška 1.3mm | ||
Šířka 10.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET Infineon řady IPT0, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 321 A – IPT017N10NM5LF2ATMA1
Tento MOSFET je vysoce výkonný N-kanálový tranzistor navržený pro náročné spínací aplikace, kde je vyžadována vysoká proudová kapacita a tepelná odolnost. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je dodáván v 8kolíkovém pouzdru pro povrchovou montáž, který je vhodný pro kompaktní napájecí moduly. Zařízení splňuje normy bez obsahu halogenů a RoHS a je určeno pro systémy vyžadující robustní vodivost a spínací výkon bez certifikace pro automobilový průmysl.
Charakteristiky a výhody:
• Tolerance vypouštění 100 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• nepřetržitý vypouštěcí proud 321 A podporuje provoz při vysoké zátěži
• Nízká hodnota Rds(on) 1.7 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 375 W umožňuje vysoký tepelný průtok
• Nabíjení hradla 165 nC podporuje řízené přepínací přechody
• propustné napětí 1.2 V minimalizuje ztráty při vedení diody
• nepřetržitý vypouštěcí proud 321 A podporuje provoz při vysoké zátěži
• Nízká hodnota Rds(on) 1.7 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 375 W umožňuje vysoký tepelný průtok
• Nabíjení hradla 165 nC podporuje řízené přepínací přechody
• propustné napětí 1.2 V minimalizuje ztráty při vedení diody
Aplikace
• Vhodné pro vysokovýkonové měniče a měniče DC/DC
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s napájecími moduly vyžadujícími tranzistory MOSFET pro povrchovou montáž
• Lze použít pro serverové a telekomunikační rozvody napájení
• Vhodné pro přeměnu energie v systémech obnovitelné energie
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s napájecími moduly vyžadujícími tranzistory MOSFET pro povrchovou montáž
• Lze použít pro serverové a telekomunikační rozvody napájení
• Vhodné pro přeměnu energie v systémech obnovitelné energie
Jaké vlastnosti pouzdra ovlivňují tepelnou manipulaci na desce?
Zařízení je dodáváno v pouzdru pro povrchovou montáž PG-HSOF-8, které umožňuje nízkou indukčnost a lepší přenos tepla při pájení na velkou měděnou plochu nebo na vyhrazené plochy chladiče.
Jak jmenovité napětí hradla ovlivňuje konstrukci pohonu hradla?
Při maximálním jmenovitém napětí hradla-zdroje 20 V je třeba vybrat ovladače hradla tak, aby zůstaly v tomto limitu a zároveň zajišťovaly dostatečný pohon pro dosažení nízkého odporu při zapnutí během vedení.
Jaký rozsah okolních teplot dokáže během provozu odolat?
Součást je specifikována pro provoz při teplotách do -55 °C a až 175 °C, což umožňuje použití v systémech vystavených extrémním okolním teplotám nebo zvýšeným teplotám spoje.
Existují nějaká omezení týkající se použití v automobilovém průmyslu?
Zařízení není klasifikováno podle automobilových norem, takže by se nemělo specifikovat tam, kde jsou povinné schválení pro automobilový průmysl.
Související odkazy
- řada: IPT0 MOSFET IPT023N10NM5LF2ATMA1 N-kanálový 243 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T065S7XTMA1 N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T040S7XTMA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT129N20NM6ATMA1 N-kanálový 87 A 200 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R140D2ATMA1 N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení