řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R015M2HXTMA1 Typ N-kanálový 115 A 650 V Infineon, PG-TO263-7, počet kolíků: 7 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 349-323
- Výrobní číslo:
- IMBG65R015M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
458,19 Kč
(bez DPH)
554,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 965 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 458,19 Kč |
| 10 - 99 | 412,24 Kč |
| 100 + | 380,38 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-323
- Výrobní číslo:
- IMBG65R015M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 115A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-TO263-7 | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 416W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 115A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-TO263-7 | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 416W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 je postaven na robustní příkopové technologii 2. generace karbidu křemíku společnosti Infineon, která nabízí bezkonkurenční výkon, vynikající spolehlivost a mimořádně snadné použití. Tento MOSFET umožňuje nákladově efektivní, vysoce účinné a zjednodušené konstrukce, které splňují stále rostoucí potřeby moderních energetických systémů a trhů. Je ideální pro aplikace, kde je vyžadována vysoká účinnost a robustní výkon, a poskytuje spolehlivé řešení pro širokou škálu výkonové elektroniky.
Velmi nízké spínací ztráty
Odolnost proti parazitnímu zapnutí i při vypínacím napětí 0 V na hradle
Flexibilní řídicí napětí a kompatibilita s bipolárním řídicím schématem
Robustní provoz tělesové diody při tvrdých komutačních událostech
Technologie propojení .XT pro nejlepší tepelný výkon ve své třídě
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R050M2HXTMA1 Typ N-kanálový 41 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R020M2HXTMA1 Typ N-kanálový 91 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R007M2HXTMA1 Typ N-kanálový 238 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R040M2HXTMA1 Typ N-kanálový 49 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMBG65R075M2HXTMA1 N kanál-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7