AEC-Q101, řada: CoolSiC MOSFET AIMBG75R016M1HXTMA1 Typ N-kanálový 98 A 750 V Infineon, PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- Skladové číslo RS:
- 349-205
- Výrobní číslo:
- AIMBG75R016M1HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
619,72 Kč
(bez DPH)
749,86 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 619,72 Kč |
| 10 - 99 | 557,73 Kč |
| 100 + | 514,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-205
- Výrobní číslo:
- AIMBG75R016M1HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 98A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 750V | |
| Typ balení | PG-TO263-7 | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 384W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 98A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 750V | ||
Typ balení PG-TO263-7 | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 384W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon 750 V CoolSiC je postaven na technologii pevného karbidu křemíku, která byla ve společnosti Infineon vyvinuta před více než 20 lety. Díky využití vlastností materiálu SiC se širokým pásmem nabízí 750V CoolSiC MOSFET jedinečnou kombinaci výkonu, spolehlivosti a snadného použití. Je vhodný pro vysoké teploty a náročné provozy a umožňuje zjednodušené a nákladově efektivní nasazení nejvyšší účinnosti systému.
Vlastní technologie společnosti Infineon
Dostupný zdrojový kolík ovladače
Zvýšená odolnost a spolehlivost pro sběrnice s napětím vyšším než 500 V
Vynikající účinnost při tvrdém přepínání
Vyšší spínací frekvence v topologiích s měkkým spínáním
Odolnost proti parazitnímu zapnutí při unipolárním řízení hradla
Nejlepší odvod tepla ve své třídě
Snížení spínacích ztrát díky lepšímu řízení hradel
Související odkazy
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R015M2HXTMA1 Typ N-kanálový 115 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R050M2HXTMA1 Typ N-kanálový 41 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový