řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMBG65R075M2HXTMA1 N kanál-kanálový 28 A 650 V Infineon, PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- Skladové číslo RS:
- 762-918
- Výrobní číslo:
- IMBG65R075M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
109,77 Kč
(bez DPH)
132,82 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 109,77 Kč |
| 10 - 49 | 88,98 Kč |
| 50 - 99 | 68,18 Kč |
| 100 + | 54,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 762-918
- Výrobní číslo:
- IMBG65R075M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 28A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-TO263-7 | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 95mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 124W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 4.5mm | |
| Délka | 15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 28A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-TO263-7 | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 124W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 4.5mm | ||
Délka 15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET CoolSiC společnosti Infineon nabízí bezkonkurenční výkon, vynikající spolehlivost a velkou snadnost použití. Umožňuje nákladově efektivní, vysoce efektivní a zjednodušené návrhy, které splňují neustále rostoucí požadavky systému a trhu.
Mimořádně nízké spínací ztráty
Zvyšuje robustnost a spolehlivost systému
Usnadňuje snadné použití a integraci
Snižuje velikost, hmotnost a hmotnost materiálů systémů
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R015M2HXTMA1 Typ N-kanálový 115 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R050M2HXTMA1 Typ N-kanálový 41 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R020M2HXTMA1 Typ N-kanálový 91 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R007M2HXTMA1 Typ N-kanálový 238 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R040M2HXTMA1 Typ N-kanálový 49 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7