řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R007M2HXTMA1 N-kanálový 238 A 650 V Infineon, PG-TO263-7, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-322
- Výrobní číslo:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
827,45 Kč
(bez DPH)
1 001,21 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 16. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 827,45 Kč |
| 10 - 99 | 744,95 Kč |
| 100 + | 687,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-322
- Výrobní číslo:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 238A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ balení | PG-TO263-7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 179nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 789W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 238A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ balení PG-TO263-7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 179nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 789W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon řady CoolSiC, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 238 A – IMBG65R007M2HXTMA1
Tento MOSFET je zesilovací zařízení s karbidem křemíku a N-kanálem určené pro vysokonapěťové spínání a úkoly konverze výkonu. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí, díky čemuž je vhodný pro náročné tepelné prostředí, a je dodáván v napájecím pouzdru pro povrchovou montáž pro integraci do kompaktních sestav.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Rds(on) 8,5 mΩ zajišťuje nízké ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• nepřetržitý vypouštěcí proud 238 A podporuje vysoké proudové zatížení
• Maximální ztrátový výkon 789 W zvládne významné tepelné namáhání
• Typický náboj hradla 179 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon hradla
• Pouzdro PG-TO263-7 pro povrchovou montáž usnadňuje montáž PCB pro hromadnou výrobu
• Rds(on) 8,5 mΩ zajišťuje nízké ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• nepřetržitý vypouštěcí proud 238 A podporuje vysoké proudové zatížení
• Maximální ztrátový výkon 789 W zvládne významné tepelné namáhání
• Typický náboj hradla 179 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon hradla
• Pouzdro PG-TO263-7 pro povrchovou montáž usnadňuje montáž PCB pro hromadnou výrobu
Aplikace
• Vhodné pro měniče v průmyslových napájecích systémech
• Ideální pro vysoce výkonné pohony motorů a trakční měniče
• Používá se s měničem obnovitelné energie a optimalizátorem výkonu
• Lze použít pro vysokonapěťové stupně převodu DC/DC
• Používá se v nepřerušitelných zdrojích napájení a systémech připojených k síti
• Ideální pro vysoce výkonné pohony motorů a trakční měniče
• Používá se s měničem obnovitelné energie a optimalizátorem výkonu
• Lze použít pro vysokonapěťové stupně převodu DC/DC
• Používá se v nepřerušitelných zdrojích napájení a systémech připojených k síti
Jaký tepelný rozsah může tolerovat v náročných instalacích?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje provoz v extrémních teplotních prostředích.
Jaká omezení hradlového pohonu je třeba dodržovat pro bezpečný provoz?
Napětí mezi bránou a zdrojem nesmí překročit 23 V, aby nedošlo k namáhání struktury brány.
Kolik kolíků obsahuje balení pro účely uspořádání desek plošných spojů?
Součást používá sedmikolíkovou konfiguraci, která se hodí pro standardní umístění pro povrchovou montáž.
Je toto zařízení vhodné pro certifikační požadavky specifické pro automobilový průmysl?
Není klasifikován podle norem pro automobilový průmysl, ale je v souladu s RoHS.
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R050M2HXTMA1 N-kanálový 41 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R015M2HXTMA1 N-kanálový 115 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R020M2HXTMA1 N-kanálový 91 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R040M2HXTMA1 N-kanálový 49 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMBG65R075M2HXTMA1 N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO263-7, počet kolíků: 7 kolíkový