MOSFET FF5MR20KM1HPHPSA1 N-kanálový 155 A 2 kV Infineon Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-319
- Výrobní číslo:
- FF5MR20KM1HPHPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 jednotka)*
7 596,73 Kč
(bez DPH)
9 192,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 7 596,73 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-319
- Výrobní číslo:
- FF5MR20KM1HPHPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 155A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 2kV | |
| Typ montáže | Šroubová svorka | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 6.15V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | 60068, IEC 60747, 60749 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 155A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 2kV | ||
Typ montáže Šroubová svorka | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 6.15V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení 60068, IEC 60747, 60749 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- HU
Polomůstkový modul Infineon CoolSiC 62 mm MOSFET 2000 V, 3,5 mΩ G1 ve známém 62mm provedení pouzdra s technologií čipu M1H a s předem naneseným materiálem Thermal Interface.
Vysoká proudová hustota
Nízké spínací ztráty
Vynikající spolehlivost oxidu hradla
Robustní integrovaná dioda v těle
Vysoká odolnost proti kosmickému záření
Vysokorychlostní spínací modul
Symetrické provedení modulu
Související odkazy
- MOSFET FF5MR20KM1HHPSA1 N-kanálový 195 A 2000 V Infineon Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 155 A Infineon, HSOF
- řada: IPT MOSFET IPT059N15N3ATMA1 N-kanálový 155 A Infineon, HSOF
- řada: CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET MOSFET IMYH200R012M1HXKSA1 N-kanálový 60 A 2000 V Infineon,
- řada: CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET MOSFET IMYH200R024M1HXKSA1 N-kanálový 89 A 2000 V Infineon,
- MOSFET FF3MR12KM1HPHPSA1 N-kanálový 280 A 1200 V Infineon Vylepšení
- MOSFET FF3MR12KM1HHPSA1 N-kanálový 185 A 1200 V Infineon Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 31 A 650 V Infineon, TO-252 Vylepšení
