řada: AIK MOSFET AIKBE50N65RF5ATMA1 N-kanálový 650 V, PG-TO263-7, počet kolíků: 7 kolíkový Infineon Vylepšení 1

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

220,32 Kč

(bez DPH)

266,59 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 07. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9220,32 Kč
10 - 99198,09 Kč
100 - 499182,78 Kč
500 - 999169,20 Kč
1000 +151,66 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-189
Výrobní číslo:
AIKBE50N65RF5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

PG-TO263-7

Řada

AIK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.8V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

108nC

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

326W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
MY
Infineon CoolSiC Hybrid Discrete s rychle spínaným IGBT TRENCHSTOP 5 a schottkyho diodou CoolSiC G5 je určen pro automobilový průmysl. Má nejlepší účinnost ve své třídě při tvrdém spínání a rezonančních topologiích.

průrazné napětí 650 V

Schottkyho dioda CoolSiCTM G5

Nízký náboj hradla QG

Připojení Kelvinova zářiče pro optimalizovaný spínací výkon

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.