řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R009M1HXTMA1 N-kanálový 170 A 650 V, PG-TO263-7 Infineon, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-987
- Výrobní číslo:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 918,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
920,32 Kč
(bez DPH)
1 113,59 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 920,32 Kč | - |
| 10 - 99 | 828,44 Kč | 918,80 Kč |
| 100 + | 763,72 Kč | 15 660,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-987
- Výrobní číslo:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 170A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Výkon | 555W | |
| Řada | IMBG65 | |
| Typ balení | PG-TO263-7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.5mm | |
| Délka | 10.2mm | |
| Šířka | 9.45mm | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 170A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Výkon 555W | ||
Řada IMBG65 | ||
Typ balení PG-TO263-7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.5mm | ||
Délka 10.2mm | ||
Šířka 9.45mm | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolSiC je postaven na technologii pevného karbidu křemíku. Díky využití vlastností materiálu SiC se širokým pásmovým rozpětím nabízí jedinečnou kombinaci výkonu, spolehlivosti a snadného použití. Je vhodný pro vysoké teploty a náročné provozy a umožňuje zjednodušené a nákladově efektivní nasazení nejvyšší účinnosti systému.
Optimalizované spínací chování při vyšších proudech
Komutace robustní rychlé tělesové diody s nízkým Qfr
Vynikající spolehlivost oxidu hradla
Zvýšená lavinová schopnost
Kompatibilní se standardními ovladači
Související odkazy
- řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R010M2H N-kanálový 158 A 650 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R060M2H N-kanálový 34.9 A 650 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R026M2H N-kanálový 68 A 650 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R033M2H N-kanálový 58 A 650 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: AIK MOSFET AIKBE50N65RF5ATMA1 N-kanálový 650 V počet kolíků: 7 kolíkový Infineon Vylepšení 1
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R015M2HXTMA1 N-kanálový 115 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R050M2HXTMA1 N-kanálový 41 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R020M2HXTMA1 N-kanálový 91 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení