řada: IMBG65 MOSFET IMBG65R026M2H Typ N-kanálový 68 A 650 V, PG-TO263-7 Infineon, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

317,40 Kč

(bez DPH)

384,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9317,40 Kč
10 - 99285,53 Kč
100 +263,30 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
351-962
Výrobní číslo:
IMBG65R026M2H
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

68A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Výkon

263W

Typ balení

PG-TO263-7

Řada

IMBG65

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

JEDEC

Výška

4.5mm

Délka

10.2mm

Automobilový standard

Ne

Infineon CoolSiC MOSFET G2 v pouzdře D2PAK-7 staví na silných stránkách technologie 1. generace a umožňuje urychlit návrh systému nákladově optimalizovaných, efektivních, kompaktních a spolehlivých řešení. Generace 2 přichází s výrazným zlepšením klíčových parametrů pro provoz s tvrdým přepínáním i pro topologie s měkkým přepínáním, vhodné pro všechny běžné kombinace stupňů AC-DC, DC-DC a DC-AC.

Umožňuje úsporu kusovníku

Nejvyšší spolehlivost

Umožňuje nejvyšší účinnost a hustotu výkonu

Snadné použití

Plná kompatibilita se stávajícími dodavateli

Umožňuje konstrukce bez ventilátoru nebo chladiče

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.