řada: ISA MOSFET ISA220280C03LMDSXTMA1 Typ P, Typ N-kanálový 8.4 A 30 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 348-904
- Výrobní číslo:
- ISA220280C03LMDSXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 348-904
- Výrobní číslo:
- ISA220280C03LMDSXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PG-TO252-3 | |
| Řada | ISA | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.2mm | |
| Šířka | 5mm | |
| Normy/schválení | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| Výška | 1.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PG-TO252-3 | ||
Řada ISA | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.2mm | ||
Šířka 5mm | ||
Normy/schválení IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
Výška 1.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory Infineon OptiMOS 3, které jsou k dispozici v komplementárních konfiguracích kanálů N a P, jsou určeny pro spínací aplikace s vysokou účinností. Tyto tranzistory MOSFET se vyznačují velmi nízkým zapínacím odporem (RDS(on)), což minimalizuje ztráty při vedení a zvyšuje celkový výkon systému. Kromě toho mají vynikající tepelnou odolnost, což zajišťuje lepší odvod tepla a spolehlivost v náročných aplikacích. Díky těmto vlastnostem jsou ideální pro různá řešení řízení spotřeby a energeticky úsporné konstrukce.
100% lavinový test
Bezolovnaté pokovení a splnění požadavků RoHS
Bezhalogenové podle IEC61249-2-21
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IPD900P06NMATMA1 Typ P-kanálový -16.4 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový -16.4 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 6.5 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD40DP06NMATMA1 Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD25DP06NMATMA1 Typ P-kanálový 6.5 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
