AEC-Q101, řada: SPP18P06P-H MOSFET Typ P-kanálový -18.7 A 60 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-7553
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-41-690
- Výrobní číslo:
- SPP18P06PHXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
158,82 Kč
(bez DPH)
192,17 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- 400 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 31,764 Kč | 158,82 Kč |
| 10 - 20 | 28,06 Kč | 140,30 Kč |
| 25 - 95 | 27,566 Kč | 137,83 Kč |
| 100 - 245 | 22,478 Kč | 112,39 Kč |
| 250 + | 22,23 Kč | 111,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-7553
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-41-690
- Výrobní číslo:
- SPP18P06PHXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -18.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PG-TO252-3 | |
| Řada | SPP18P06P-H | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.13Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81.1W | |
| Přímé napětí Vf | 1.33V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Délka | 40mm | |
| Normy/schválení | Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | |
| Šířka | 40mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -18.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PG-TO252-3 | ||
Řada SPP18P06P-H | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.13Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81.1W | ||
Přímé napětí Vf 1.33V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Délka 40mm | ||
Normy/schválení Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | ||
Šířka 40mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Související odkazy
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 90 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 4.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD040N03LF2SATMA1 N-kanálový 73 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD60R180CM8XTMA1 N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD030N03LF2SATMA1 N-kanálový 99 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD60R600CM8XTMA1 N-kanálový 7 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
