řada: OptiMOS MOSFET IPD023N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 137 A 30 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 349-427
- Výrobní číslo:
- IPD023N03LF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
206,25 Kč
(bez DPH)
249,56 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 990 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 20,625 Kč | 206,25 Kč |
| 100 - 240 | 19,612 Kč | 196,12 Kč |
| 250 - 490 | 18,13 Kč | 181,30 Kč |
| 500 - 990 | 16,722 Kč | 167,22 Kč |
| 1000 + | 16,104 Kč | 161,04 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-427
- Výrobní číslo:
- IPD023N03LF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 137A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PG-TO252-3 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.35mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 107W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 137A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PG-TO252-3 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.35mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 107W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET 2 společnosti Infineon StrongIRFET 30 V se vyznačuje nejlepší hodnotou RDS(on) ve své třídě 2,3 mOhm v pouzdře DPAK. Tento produkt je určen pro širokou škálu aplikací od nízkých až po vysoké spínací frekvence.
Výrobky pro všeobecné použití
Vynikající robustnost
Široká dostupnost u distributorů
Standardní balení a vývody
Vysoké výrobní a dodavatelské standardy
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IPD020N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 143 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPD030N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 99 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPD040N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 73 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPD60R180CM8XTMA1 Typ N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Typ N-kanálový 4.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPD900P06NMATMA1 Typ P-kanálový -16.4 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPD047N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 71 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení