AEC-Q101, řada: SPP18P06P-H MOSFET SPP18P06PHXKSA1 Typ P-kanálový -18.7 A 60 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 273-7552
- Výrobní číslo:
- SPP18P06PHXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
834,10 Kč
(bez DPH)
1 009,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 400 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 16,682 Kč | 834,10 Kč |
| 100 + | 13,629 Kč | 681,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-7552
- Výrobní číslo:
- SPP18P06PHXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -18.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PG-TO252-3 | |
| Řada | SPP18P06P-H | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.13Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.33V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81.1W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 40mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Délka | 40mm | |
| Normy/schválení | Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -18.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PG-TO252-3 | ||
Řada SPP18P06P-H | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.13Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.33V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81.1W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 40mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Délka 40mm | ||
Normy/schválení Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET je malý signálový MOSFET s P-kanálem. Tyto produkty důsledně splňují nejvyšší požadavky na kvalitu a výkon v klíčových specifikacích pro návrh napájecích systémů, jako je stavový odpor a hodnota zásluhových charakteristik. Je bez obsahu halogenů podle normy IEC61249 2 21.
V souladu s RoHS
Jmenovitá hodnota laviny
Režim vylepšení
Povrchová úprava vodiče bez olova
Kvalifikace podle AEC Q101
Související odkazy
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD900P06NMATMA1 Typ P-kanálový -16.4 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový -16.4 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení