řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 6.5 A 60 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-3006
- Výrobní číslo:
- IPD25DP06NMATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
175,37 Kč
(bez DPH)
212,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 290 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 17,537 Kč | 175,37 Kč |
| 50 - 90 | 14,845 Kč | 148,45 Kč |
| 100 - 240 | 13,783 Kč | 137,83 Kč |
| 250 - 990 | 13,437 Kč | 134,37 Kč |
| 1000 + | 13,215 Kč | 132,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-3006
- Výrobní číslo:
- IPD25DP06NMATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PG-TO252-3 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 250mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 28W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PG-TO252-3 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 250mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 28W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-kanálové MOSFET Infineon v pouzdru DPAK představují novou technologii zaměřenou na řízení baterií, spínače zátěže a aplikace ochrany proti obrácené polaritě. Díky snadnému rozhraní s MCU, rychlému spínání a lavinové odolnosti je vhodný
Snadné rozhraní s MCU
Vylepšená účinnost při nízkých zátěžích díky nízkému Qg
Rychlé spínání
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IPD25DP06NMATMA1 Typ P-kanálový 6.5 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový -16.4 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD40DP06NMATMA1 Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 90 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 4.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD046N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 90 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení