AEC-Q101, řada: SPD04P10PL G MOSFET Typ P-kanálový -4.2 A 100 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-7551
- Výrobní číslo:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
150,18 Kč
(bez DPH)
181,72 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 2 240 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,018 Kč | 150,18 Kč |
| 50 - 90 | 14,721 Kč | 147,21 Kč |
| 100 - 240 | 13,783 Kč | 137,83 Kč |
| 250 - 990 | 12,696 Kč | 126,96 Kč |
| 1000 + | 12,474 Kč | 124,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-7551
- Výrobní číslo:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -4.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PG-TO252-3 | |
| Řada | SPD04P10PL G | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 850mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Přímé napětí Vf | 0.94V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 40mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | AEC Q101, RoHS | |
| Šířka | 40mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -4.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PG-TO252-3 | ||
Řada SPD04P10PL G | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 850mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Přímé napětí Vf 0.94V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 40mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení AEC Q101, RoHS | ||
Šířka 40mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon je výkonový MOSFET s P-kanálem. Tyto produkty důsledně splňují nejvyšší požadavky na kvalitu a výkon v klíčových specifikacích pro návrh napájecích systémů, jako je stavový odpor a hodnota zásluhových charakteristik. Je certifikován podle normy AEC Q101.
Logická úroveň
V souladu s RoHS
Režim vylepšení
Bezolovnatá povrchová úprava
Související odkazy
- AEC-Q101 PG-TO252-3, počet kolíků: 3
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový -16.4 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 6.5 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD25DP06NMATMA1 Typ P-kanálový 6.5 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD40DP06NMATMA1 Typ P-kanálový 4.3 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 90 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení