řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5SCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon, PG-WHSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-774
- Výrobní číslo:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
235,14 Kč
(bez DPH)
284,52 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 47,028 Kč | 235,14 Kč |
| 50 - 95 | 44,708 Kč | 223,54 Kč |
| 100 - 495 | 41,398 Kč | 206,99 Kč |
| 500 - 995 | 38,038 Kč | 190,19 Kč |
| 1000 + | 36,704 Kč | 183,52 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-774
- Výrobní číslo:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 99A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PG-WHSON-8 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 99A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PG-WHSON-8 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon je vybaven výkonovým tranzistorem OptiMOS 5 s napětím 80 V, který je speciálně navržen pro zvýšení účinnosti a výkonu moderních elektronických aplikací. Vyniká vynikající synchronní rektifikací, která zajišťuje minimální ztráty energie a maximalizuje celkovou spolehlivost systému. Díky nízkému odporu při zapnutí a výjimečnému tepelnému managementu je tento tranzistor ideální pro náročné průmyslové aplikace a je preferovanou volbou pro inženýry, kteří usilují o optimalizaci výkonu. Díky rozsáhlému lavinovému testování a robustní konstrukci slibuje dlouhou životnost v náročných podmínkách a splňuje globální normy RoHS, čímž zajišťuje silný závazek k bezpečnosti a udržitelnosti.
Optimalizováno pro synchronní usměrnění
N kanál pro snadnou integraci obvodů
Nízký odpor snižuje tvorbu tepla
Výjimečná tepelná odolnost zabraňuje přehřátí
100% lavinové testování spolehlivosti
Bezolovnaté pokovování pro ekologicky šetrnou výrobu
Bezhalogenová konstrukce splňuje předpisy
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5SCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5SCATMA1 Typ N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH29NE2LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 6MOSFET IQDH45N04LM6SCATMA1 N-kanálový 611 A 40 V počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 5MOSFET IQD009N06NM5SCATMA1 N-kanálový 445 A 60 V počet kolíků: 8